RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
60
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3052
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link