RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
60
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3052
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston KHX16 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link