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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

総合得点
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 10.5
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 77
    周辺 -141% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2714

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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 9905700-026.A00G 8GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
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メモリRAM
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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