RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2714
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link