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Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
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Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

総合得点
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 33
    周辺 21% 低遅延
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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