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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
総合得点
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
51
周辺 -46% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
35
読み出し速度、GB/s
9.8
16.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
3127
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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