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Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 35
    周辺 26% 低遅延
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 7.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1809 left arrow 2321

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