Comparaison de la RAM Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Note globale

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 35

Autour de 26% latence réduite

Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.4 13.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.5 7.6

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1809 2321

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns