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Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Confronto
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
35
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1809
2321
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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