Comparação RAM Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Pontuação geral

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 35

Por volta de 26% menor latência

Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.4 13.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.5 7.6

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1809 2321

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns