RAM-Vergleich Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Gesamtnote

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 35

Rund um 26% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.4 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.5 7.6

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1809 2321

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns