RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1809
2910
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link