Comparação RAM Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Pontuação geral

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 33

Por volta de 21% menor latência

Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.6 13.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.0 7.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 10600

Por volta de 2.42 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1809 2910

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns