Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

総合得点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 14.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,622.0 10.2

テスト平均値

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 77

周辺 -185% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 5300

周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

77 27
読み出し速度、GB/s

3,405.2 14.8
書き込み速度、GB/秒

2,622.0 10.2
メモリ帯域幅、mbps

5300 19200

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

763 2173

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

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Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB

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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

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Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB

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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

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