RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2173
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link