RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
77
Autour de -185% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2173
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link