RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.3
    テスト平均値
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 77
    周辺 -175% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 2,622.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2658

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
SK Hynix 8GB
SK Hynix 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
メモリRAM