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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2658
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
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