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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2658
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
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