RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 37
    周辺 32% 低遅延
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 12.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.1 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3419 left arrow 2813

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAMの比較

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
メモリRAM