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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Jinyu 16GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Jinyu 16GB
総合得点
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
総合得点
Jinyu 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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考慮すべき理由
Jinyu 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
25
周辺 -19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
12.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Jinyu 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR5
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
21
読み出し速度、GB/s
13.4
17.3
書き込み速度、GB/秒
12.1
12.9
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3419
3209
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAMの比較
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Jinyu 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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