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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 8.2
    テスト平均値
Micron Technology 16G2666CL19 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 25
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.1 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3419 left arrow 2438

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