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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 26
    周辺 4% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 12.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 19.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.1 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3419 left arrow 3818

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