RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
比較する
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
総合得点
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
総合得点
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
55
周辺 55% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
9.8
テスト平均値
考慮すべき理由
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.8
13.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR5
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
55
読み出し速度、GB/s
13.4
18.8
書き込み速度、GB/秒
12.1
9.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3419
2293
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAMの比較
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link