RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
比較する
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
36
周辺 -50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
10.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
24
読み出し速度、GB/s
15.0
17.0
書き込み速度、GB/秒
10.3
13.5
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
2703
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB RAMの比較
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link