RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
10.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2703
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link