RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 62
    周辺 47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB 考慮すべき理由
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 6.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 1586

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
メモリRAM