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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
62
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
62
读取速度,GB/s
17.6
16.1
写入速度,GB/s
12.0
6.0
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1586
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
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