RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
62
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
62
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
6.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1586
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Lenovo 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair VS2GB667D2 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link