RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
62
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
62
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
6.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1586
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link