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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
総合得点
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
37
周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.1
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.2
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
27
読み出し速度、GB/s
13.2
19.1
書き込み速度、GB/秒
8.4
16.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2143
3784
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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