RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3784
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link