RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3784
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link