RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 34
    周辺 18% 低遅延
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB 考慮すべき理由
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.1 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 13.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3472

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
メモリRAM