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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 51
    周辺 -132% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 3007

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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メモリRAM
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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