RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.5 left arrow 6.9
    テスト平均値
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2312

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
メモリRAM