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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
39
周辺 28% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.1
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
39
読み出し速度、GB/s
12.7
14.1
書き込み速度、GB/秒
7.5
10.7
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
2183
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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Kingston KH280C14D4/8X 8GB
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SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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