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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
12.7
14.1
写入速度,GB/s
7.5
10.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2183
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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