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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

総合得点
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.3
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 56
    周辺 -65% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 1,813.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    4,387.7 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,813.5 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 3606

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Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
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