RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
56
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3606
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link