RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 52
    周辺 -108% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14900
    周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2173 left arrow 2740

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAMの比較

Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
メモリRAM
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
メモリRAM
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
メモリRAM