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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

総合得点
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 36
    周辺 6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 10.6
    テスト平均値
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    15.6 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.2 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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