Confronto tra le RAM Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

34 36

Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 15

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.2 10.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2468 2247

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns