RAM-Vergleich Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

34 36

Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.6 15

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.2 10.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2468 2247

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns