Comparação RAM Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Pontuação geral

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

34 36

Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.6 15

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.2 10.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2468 2247

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns