Porównanie pamięci RAM Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

34 36

Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 15

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.2 10.6

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2468 2247

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns