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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
総合得点
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
41
周辺 37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.8
7.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
6.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
41
読み出し速度、GB/s
12.8
7.8
書き込み速度、GB/秒
9.0
6.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2143
1512
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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