RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston KY7N41-MIE 8GB

Kingston KY7N41-MIE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 33
    周辺 21% 低遅延
Kingston KY7N41-MIE 8GB 考慮すべき理由
Kingston KY7N41-MIE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2948

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Kingston KY7N41-MIE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
メモリRAM
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
メモリRAM