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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
比較する
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
総合得点
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
総合得点
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
27
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.7
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.8
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
27
読み出し速度、GB/s
12.8
18.7
書き込み速度、GB/秒
9.0
17.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3963
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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