RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    49 left arrow 76
    周辺 36% 低遅延
AMD R744G2606U1S 4GB 考慮すべき理由
AMD R744G2606U1S 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 76
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2427 left arrow 1809

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

AMD R744G2606U1S 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
メモリRAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
メモリRAM