RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
76
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
76
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.7
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
1809
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351U7BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link